Все новости

Ученые создали полупроводник толщиной в три атома

Исследователи сумели создать пленку, толщина которой составляет три атома. Материал сделан из дихалькогенидов металлов (дисульфида молибдена и сульфида вольфрама). Полученные полупроводниковые пленки могут использоваться для создания высокочувствительных детекторов света или светоизлучающих диодов.
Двумерные полупроводники, такие как графен или дихалькогениды металлов, уже доказали свою эффективность при создании электронных устройств. Если графен представляет собой модификацию углерода, образованную слоем его атомов толщиной в один атом, то дихалькогениды металлов могут образовывать пленку толщиной в три атома.

Дихалькогениды переходных металлов — это материалы, имеющие химическую формулу MX2, где M — это переходной металл (например, молибден или вольфрам), а X — халькоген (например, сера, кислород или теллур). В отличие от графена, эти материалы имеют прямую запрещенную зону для носителей заряда (область энергий, отделяющую полностью заполненную электронами валентную зону от незаполненной зоны проводимости). Величина ширины запрещённой зоны имеет важное значение при генерации света в светодиодах и полупроводниковых лазерах, поскольку именно она определяет энергию испускаемых фотонов.

Ученые и раньше видели в дихалькогенидах металлов огромный потенциал для электроники, однако производство этих материалов представляло большую сложность. Теперь журнал Nature опубликовал статью американских физиков, которые сумели разработать способ выращивания трехатомной пленки дисульфида молибдена и сульфида вольфрама при температуре 550°C. Ученые утверждают, что в 99% случаев им удается создать работающий полупроводник. Исследователи планируют продолжить работу над понижением температуры, при которой изготавливается материал, однако они убеждены, что и теперь дихалькогениды металлов могут быть использованы для создания высокочувствительных детекторов света или светоизлучающих диодов.